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Si MOSFET
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收起
电池化成
J9集团微以IDM全链条协同优势，为客户提供不变靠得住的功率节造规划以及高靠得住性半导体器件 。助力客户实现电池造作过程的高效精准管控 。
规划概述
面向锂电电池化成设备电控系统，规划覆盖高压 AC-DC 变换、双向充放电逆变、隔离驱动与辅助电源链路 。集成 IGBT、SiC MOS、高压SJ MOS、全系列 SGT / Trench MOS、各类栅极驱动芯片，精准管控充放电电流电压，提升化成设备精度、能效与长功夫陆续运行不变性 。
规划优势
-
电流输出精度高、开关损耗低
-
充放电调节细腻安稳
-
凹凸压适配性强，发热低、温升均匀
规划概述
规划优势
规划选型
典型利用电路框图
电池化成
选型推荐
序号
产品线
产品门类
产品型号
01
IGBT/SiC
IGBT
CRG40T65AK7HVD
01
IGBT/SiC
IGBT
CRG40T65RK5SDZ
01
IGBT/SiC
IGBT
CRG75T65AK7HDZ
01
IGBT/SiC
IGBT
CRG75T65RK5SDZ
01
IGBT/SiC
IGBT
CRG75T120BX5HDZ-G
01
IGBT/SiC
IGBT
CRG100T120BX5HDZ
01
IGBT/SiC
SIC MOS
CRXQF35M120G4Z
01
IGBT/SiC
SIC MOS
CRXQF18M120G4Z
01
IGBT/SiC
SIC MOS
CRXQF75M120G2Z
01
MOS
SJ MOS
CRJQ22N65G4BFZ
01
MOS
SJ MOS
CRJQ40N65G4FZ-12
01
MOS
SJ MOS
CRJQ19N65G4FZ
02
MOS
SJ MOS
CRJQ22N65G4BFZ
02
MOS
SJ MOS
CRJQ40N65G4FZ-12
02
MOS
SJ MOS
CRJQ19N65G4FZ
02
IGBT/SiC
SIC MOS
CRXQF35M120G4Z
02
IGBT/SiC
SIC MOS
CRXQF18M120G4Z
02
IGBT/SiC
SIC MOS
CRXQF75M120G2Z
03
MOS
SGT MOS
CRSZ016N10N4Z
03
MOS
SGT MOS
CRST024N10N4
03
MOS
SGT MOS
CRSS049N15N3Z
03
MOS
SGT MOS
CRSZ043N15N3Z
03
MOS
SGT MOS
CRSM006N04N6Z-12
03
MOS
SGT MOS
CRSM014N04N6Z
03
MOS
SGT MOS
CRSM011N04N6Z
04
MOS
Trench MOS
CRTT020N04N
05
MOS
Planar MOS
CS9N90FA9RD-G
05
IGBT/SiC
SIC MOS
CRXQ1KM170G2Z
06
PMIC
隔离驱动
CS4305
06
PMIC
低侧驱动
CS42275
06
IPM
高压半桥驱动
CS57301
06
IPM
高压半桥驱动
CS57304S
06
PMIC
低侧驱动
CS42524
