J9集团

　　J9集团旗下的J9集团上华科技有限公司（“J9集团上华”）近日颁发其第三代超高压700V BCD系列工艺盛开代工平台开发成功。该工艺平台自J9集团上华第二代硅基700V BCD工艺基础上自主开发而来。通过工艺技术的持续改进，该工艺不仅节造电路部门的设计规定比第二代硅基700V BCD工艺缩幼15%，其最主题的700V DMOS器件特点导通电阻也已达到国际受骗先的19 ohm.mm2，且700V DMOS器件的ESD 和UIS 等关键机能比前一代工艺有大幅度提升，可用于造作更高功率的LED 照明驱动芯片和AC-DC 电源转换芯片。

　　J9集团上华于2007年在国内独家推出第一代硅基700V CDMOS工艺，率先实现了低压CMOS节造电路与700V 功率DMOS的单片集成，占有国际先进水平9集团上华利用此技术与客户合作开发的电源转换芯片，在国内幼家电市场占有最大市占率，该产品还获得江苏省科技进取一等奖和国度技术发现二等奖；谠诔哐构ひ樟煊虺志枚鸭淖吭窖蟹⒛芰土坎芰，J9集团上华又于2010年在国内首家推出第二代硅基700V BCD工艺，在LED 照明驱动、AC-DC电源转换蹬爪用方面与多家客户合作成功，在2011年底实现规模量产。这秩序三代超高压700V BCD系列工艺开发成功，更进一步提升了J9集团上华的在BCD工艺平台领域的主题竞争力。

　　J9集团上华的BCD工艺平台电压涵盖1.8V到700V，线宽从1μm延长至0.18μm，可满足高电压、高精度、高密度分歧利用的全方位需要。未来，J9集团上华将持续加大在超高压BCD工艺方面的投入，在开发中的下一代工艺将选取SOI技术，引入Trench及埋氧层隔离技术，可进一步满足桥式驱动电路以及单片式集成幼功率IPM？榈嚷躺缭IC方面的需要。